Microwave-assisted hydrothermal synthesis and characterization of ZnO nanorods

سنتز هیدروترمال به کمک مایکروویو و ویژگی های نانو میله ی ZnO

ABSTRACT

For the purpose of this study, the nanorods of zinc oxide were synthesized by rapid microwave-assisted hydrothermal route. The microstructure and surface morphology of the sensitized nanorods were characterized by X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscope (FE-SEM) and transimision electron microscope (TEM).

XRD results indicate that synthesized ZnO nanorods have wurtzite phase. The calculated value of the particle size using Debye Scherrer formula and Williamson Hall plot was found to be 20-28 nm and 35.3 nm, respectively. Low uniformity distribution of rod-like morphology (60-80 nm in diameter and average length about 250 nm) are seen in TEM micrographs. The optical parameters of the prepared ZnO nanorods have been calculated using Kubeleka-Munk.

۲ approach for the UV-vis diffuse reflectance spectrum. It is found that the direct transition optical band gap of the studied sample is 3.17 eV. The direct current electrical conductivity was increased from 6.7 × ۱۰E-8 to 3 × ۱۰E-7 with increasing the temperature (T) in the range (300 to 425K). The obtained variation of …with T refers that the conductivity mechanism is controlled by thermally activated process.

 جهت دانلود رایگان نسخه لاتین این مقاله اینجا کلیک کنید .

چکیده

هدف این تحقیق سنتز نانومیله اکسید روی با روش ماکروویو به کمک امواج سریع می باشد. ریزساختار و سطح ظاهری نانو میله ی سنتز شده با انتشار اشعه ی ایکس، میکروسکوپ الکترونی اسکن نور محیطی (FE-SEM) و میکرسکوپ الکترون انتقالی TEM سنجش شد.

نتایج XRD نشان داد که نانو میله ی ZnO ترکیب شده حالت شش گوشه ورتسایت دارد. محاسبات انجام شده درباره ی اندازه ی ذرات با استفاده از فرمول شر و حال nm 20-28 و ۳۵.۳ nm به ترتیب بودند. توزیع یک شکل کم از شکل ظاهری میله مانند (۶۰-۸۰ nm در شعاع و میانگین طول ۲۵۰ nm) در نقشه های TEM نشان داده شد.

پارامترهای نوری نانو میله ی ZnO محیا شده با استفاده از روش مانک برای UV-VIS و طیف بازتابی پخش شده استفاده شد. مشخص شد که شکاف باند بصری انتقالی مستقیم مورد بررسی قرار گرفته نمونه ی آن ۳.۱۷ بود. رسانایی الکتریکی جریان مستقیم U از ۶.۷ × ۱۰^-۸ تا ۳×۱۰^-۷Ω^-۱cm^-۱ با دما T در دامنه ی ۳۰۰ افزایش داشت. تفاوت های بدست آمده U و T نشان از مکانیسم رسانایی کنترل شده توسط فرایند فعال سازی شده ی حرارتی دارد.

جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.