ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌ هادی – عایق – فلز ساخته شده با تکنیک نفوذ منبع جامد

نمره 0 از 5
امتیاز: 0 از 0
منقضی شده
48,000 تومان 12,000 تومان
فروش
0

توضیحات

ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌هادی – عایق – فلز با کانال n ژرمانیمی با تحرک الکترون بالا ساخته شده با فرآیند دریچه آخر با استفاده از تکنیک نفوذ منبع جامد

High Electron Mobility Ge n-Channel Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated by the Gate-Last Process with the Solid Source Diffusion Technique

چکیده

در این کار ما یک ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌هادی – عایق – فلز با کانال n ژرمانیمی با نسبت k/Ge بالا را با استفاده از فرآیند دریچه آخر با استفاده از تکنیک نفوذ منبع جامد حرارتی ساختیم تا هر دو ویژگی کیفیت بالای منبع/تخلیه (S/D) و هم پشته دریچه بالا به دست آید. پیوند n+/p که با استفاده از نفوذ منبع جامد اتم ناخالص ساز (دوپانت) آنتیموان ایجاد شده است.

مشخصات یکسوسازی (دیود) عالی با نسبت روشن/خاموش در حدود ۱۰۵ × ۱/۵ ~ بین V 1+ و V 1- و همچنین دانسیته جریان تقریباً پایین  ۴ × ۱۰ A/cm2 ~ در V 1+ و پس از ساختن MISFETهای با کانال n با نسبت k/Ge بالا از خود نشان می‌دهد که ما را قادر به مشاهده راندمان ترانزیستور خوش رفتار (سازگار) می‌کند. تحرک الکترون خارج شده با مقدار بیشینه ۸۹۱cm2/(V.s)به اندازه کافی زیاد است تا بالاتر از تحرک الکترون سیلیسیم عمومی و به ویژه در Eeff پایین قرار گیرد.

جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.

ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌ هادی - عایق - فلز

ABSTRACT

We fabricate high-k/Ge n-channel metal–insulator–semiconductor field-effect transistors (MISFETs) by the gate-last process with the thermal solid source diffusion to achieve both of high quality source/drain (S/D) and gate stack. The nþ/p junction formed by solid source diffusion technique of Sb dopant shows the excellent diode characteristics of ~1/5 × ۱۰۵ on/off ratio between +1 and -1 V and the quite low reverse current density of 4 × ۱۰ A/cm2 at +1 V after the fabrication of high-k/Ge n-channel MISFETs that enable us to observe well-behaved transistor performances. The extracted electron mobility with the peak of 891cm2/(V.s) is high enough to be superior to the Si universal electron mobility especially in low Eeff. # 2010 The Japan Society of Applied Physics

دانلود مقاله انگلیسی PDF

دیدگاه‌ها (0)

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

فقط کاربرانی که خریدار این محصول هستند میتوانند نظر خود را ارسال کنند.