جستجو برای:
  • مقالات ترجمه شده
  • استانداردها
  • جزوات
     

    ورود

    رمز عبور را فراموش کرده اید؟

    هنوز عضو نشده اید؟ عضویت در سایت
    • مقالات ترجمه شده
    • استانداردها
    • جزوات
    می خواهم فایل بفروشم
    ۰
    ورود به حساب
    خانهترجمه مقالهترانزیستور اثر میدانی نیمه‌ هادی – عایق – فلز ساخته شده با تکنیک نفوذ منبع جامد
    حالت مطالعه

    ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌هادی – عایق – فلز با کانال n ژرمانیمی با تحرک الکترون بالا ساخته شده با فرآیند دریچه آخر با استفاده از تکنیک نفوذ منبع جامد

    High Electron Mobility Ge n-Channel Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated by the Gate-Last Process with the Solid Source Diffusion Technique

    چکیده

    در این کار ما یک ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌هادی – عایق – فلز با کانال n ژرمانیمی با نسبت k/Ge بالا را با استفاده از فرآیند دریچه آخر با استفاده از تکنیک نفوذ منبع جامد حرارتی ساختیم تا هر دو ویژگی کیفیت بالای منبع/تخلیه (S/D) و هم پشته دریچه بالا به دست آید. پیوند n+/p که با استفاده از نفوذ منبع جامد اتم ناخالص ساز (دوپانت) آنتیموان ایجاد شده است.

    مشخصات یکسوسازی (دیود) عالی با نسبت روشن/خاموش در حدود ۱۰۵ × ۱/۵ ~ بین V 1+ و V 1- و همچنین دانسیته جریان تقریباً پایین  ۴ × ۱۰-۴ A/cm۲ ~ در V 1+ و پس از ساختن MISFETهای با کانال n با نسبت k/Ge بالا از خود نشان می‌دهد که ما را قادر به مشاهده راندمان ترانزیستور خوش رفتار (سازگار) می‌کند. تحرک الکترون خارج شده با مقدار بیشینه ۸۹۱cm۲/(V.s)به اندازه کافی زیاد است تا بالاتر از تحرک الکترون سیلیسیم عمومی و به ویژه در Eeff پایین قرار گیرد.

    جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.

    ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌ هادی - عایق - فلز

    ABSTRACT

    We fabricate high-k/Ge n-channel metal–insulator–semiconductor field-effect transistors (MISFETs) by the gate-last process with the thermal solid source diffusion to achieve both of high quality source/drain (S/D) and gate stack. The nþ/p junction formed by solid source diffusion technique of Sb dopant shows the excellent diode characteristics of ~۱/۵ × ۱۰۵ on/off ratio between +1 and -1 V and the quite low reverse current density of 4 × ۱۰-۴ A/cm۲ at +1 V after the fabrication of high-k/Ge n-channel MISFETs that enable us to observe well-behaved transistor performances. The extracted electron mobility with the peak of 891cm۲/(V.s) is high enough to be superior to the Si universal electron mobility especially in low Eeff. # 2010 The Japan Society of Applied Physics

    برچسب: مقاله متالورژی مقاله مهندسی مواد

    محصولات مرتبط

    اتصال Inconel 625 به UNS 32205 به روش جوشکاری پرتو الکترونی

    Investigations on the structure – Property relationships of electron beam welded Inconel 625 and UNS 32205 بررسی روابط خواص-ساختار اتصال…

    14,400 تومان

    اثر نیتروژن روی خواص خزشی فولاد زنگ نزن

    Evaluation of the effect of nitrogen on creep properties of ۳۱۶LN stainless steel from impression creep tests ارزیابی اثر نیتروژن روی…

    5,900 تومان

    بهبود فولاد میکروآلیاژی HSLA با وانادیم و تیتانیم

    Effect of vanadium and titanium modification on the microstructure and mechanical properties of a microalloyed HSLA steel بهبود فولاد میکروآلیاژی HSLA…

    14,900 تومان

    اهمیت خوردگی در خطوط ساحلی نفت و گاز corrosion in onshore oil and gas pipelines

    Assessing the significance of corrosion in onshore oil and gas pipelines ارزیابی اهمیت خوردگی در خطوط ساحلی نفت و گاز…

    14,900 تومان

    تنها اشخاصی که این محصول را خریداری کرده اند و وارد سایت شده اند می توانند در مورد این محصول بازبینی ارسال کنند.

    48,000 تومان 12,000 تومان

    Report Abuse
    mavadtarjome
    ضمانت کیفیت و تضمین عودت وجه
    درباره مت شاپ

    مت شاپ پلتفرم آموزشی تبادل فایل های مهندسی است. در این پلتفرم شما می ‌توانید فایل‌های آموزشی مورد نیاز خود را تهیه کنید و یا فایل‌های خود را برای فروش به اشتراک گذاشته و کسب درآمد کنید. در وبسایت مت شاپ شما می‌توانید گزیده ای از هزاران فایل آموزشی در کلیه زمینه های ترجمه مقالات، پروژه های آموزشی، استانداردها و نرم افزارهای مهندسی را مشاهده کنید که کلیه نیاز شما را در زمینه‌های آموزشی و پژوهشی مرتفع می‌کند.

    فهرست
    • فروشنده شو
    • درباره ی ما
    • فروشگاه
    • آدرس: تهران نارمک
    • تماس:۰۹۹۰۵۴۴۸۹۲۱
    • ایمیل: info@matshop.ir
    جستجو

    جستجو با زدن Enter و بستن با زدن ESC