جستجو برای:
  • مقالات ترجمه شده
  • استانداردها
  • جزوات
     

    ورود

    رمز عبور را فراموش کرده اید؟

    هنوز عضو نشده اید؟ عضویت در سایت
    • مقالات ترجمه شده
    • استانداردها
    • جزوات
    می خواهم فایل بفروشم
    ۰
    ورود به حساب
    خانهترجمه مقالهترانزیستور اثر میدانی نیمه‌ هادی – عایق – فلز ساخته شده با تکنیک نفوذ منبع جامد
    حالت مطالعه

    ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌هادی – عایق – فلز با کانال n ژرمانیمی با تحرک الکترون بالا ساخته شده با فرآیند دریچه آخر با استفاده از تکنیک نفوذ منبع جامد

    High Electron Mobility Ge n-Channel Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated by the Gate-Last Process with the Solid Source Diffusion Technique

    چکیده

    در این کار ما یک ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌هادی – عایق – فلز با کانال n ژرمانیمی با نسبت k/Ge بالا را با استفاده از فرآیند دریچه آخر با استفاده از تکنیک نفوذ منبع جامد حرارتی ساختیم تا هر دو ویژگی کیفیت بالای منبع/تخلیه (S/D) و هم پشته دریچه بالا به دست آید. پیوند n+/p که با استفاده از نفوذ منبع جامد اتم ناخالص ساز (دوپانت) آنتیموان ایجاد شده است.

    مشخصات یکسوسازی (دیود) عالی با نسبت روشن/خاموش در حدود ۱۰۵ × ۱/۵ ~ بین V 1+ و V 1- و همچنین دانسیته جریان تقریباً پایین  ۴ × ۱۰-۴ A/cm۲ ~ در V 1+ و پس از ساختن MISFETهای با کانال n با نسبت k/Ge بالا از خود نشان می‌دهد که ما را قادر به مشاهده راندمان ترانزیستور خوش رفتار (سازگار) می‌کند. تحرک الکترون خارج شده با مقدار بیشینه ۸۹۱cm۲/(V.s)به اندازه کافی زیاد است تا بالاتر از تحرک الکترون سیلیسیم عمومی و به ویژه در Eeff پایین قرار گیرد.

    جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.

    ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌ هادی - عایق - فلز

    ABSTRACT

    We fabricate high-k/Ge n-channel metal–insulator–semiconductor field-effect transistors (MISFETs) by the gate-last process with the thermal solid source diffusion to achieve both of high quality source/drain (S/D) and gate stack. The nþ/p junction formed by solid source diffusion technique of Sb dopant shows the excellent diode characteristics of ~۱/۵ × ۱۰۵ on/off ratio between +1 and -1 V and the quite low reverse current density of 4 × ۱۰-۴ A/cm۲ at +1 V after the fabrication of high-k/Ge n-channel MISFETs that enable us to observe well-behaved transistor performances. The extracted electron mobility with the peak of 891cm۲/(V.s) is high enough to be superior to the Si universal electron mobility especially in low Eeff. # 2010 The Japan Society of Applied Physics

    برچسب: مقاله متالورژی مقاله مهندسی مواد

    محصولات مرتبط

    اثرات آنتی باکتریال فلزات Antibacterial effects of metals

    اثرات آنتی باکتریال فلزات Antibacterial effects of metals اثرات آنتی باکتریال فلزات ABSTRACT In this chapter, the antibacterial effects of…

    14,900 تومان

    اثر میکروساختار ماده بر فرسایش ابزار هنگام ماشینکاری آلیاژهای سخت تیتانیوم

    ماشین کاری آلیاژ تیتانیوم Experimental investigation on the effect of the material microstructure on tool wear when machining hard titanium alloys:…

    14,900 تومان

    ارزیابی عمق ترک با استفاده از تکنیک های جریان گردابی

    Evaluation of crack depth using eddy current techniques with GMR-based probes ارزیابی عمق ترک با استفاده از تکنیک های جریان…

    9,900 تومان

    اطلس عیوب ریخته گری

    اطلس عیوب ریخته گری عیوب ریخته گری از گذشته در قطعات باعث بحران بوده اند و مهم ترین وظیفه ریخته گران…

    16,000 تومان 11,200 تومان

    تنها اشخاصی که این محصول را خریداری کرده اند و وارد سایت شده اند می توانند در مورد این محصول بازبینی ارسال کنند.

    48,000 تومان 12,000 تومان

    Report Abuse
    mavadtarjome
    ضمانت کیفیت و تضمین عودت وجه
    درباره مت شاپ

    مت شاپ پلتفرم آموزشی تبادل فایل های مهندسی است. در این پلتفرم شما می ‌توانید فایل‌های آموزشی مورد نیاز خود را تهیه کنید و یا فایل‌های خود را برای فروش به اشتراک گذاشته و کسب درآمد کنید. در وبسایت مت شاپ شما می‌توانید گزیده ای از هزاران فایل آموزشی در کلیه زمینه های ترجمه مقالات، پروژه های آموزشی، استانداردها و نرم افزارهای مهندسی را مشاهده کنید که کلیه نیاز شما را در زمینه‌های آموزشی و پژوهشی مرتفع می‌کند.

    فهرست
    • فروشنده شو
    • درباره ی ما
    • فروشگاه
    • آدرس: تهران، سیدخندان
    • تماس غیرفعال.
    • ایمیل: info@matshop.ir
    جستجو

    جستجو با زدن Enter و بستن با زدن ESC