جستجو برای:
  • مقالات ترجمه شده
  • استانداردها
  • جزوات
     

    ورود

    رمز عبور را فراموش کرده اید؟

    هنوز عضو نشده اید؟ عضویت در سایت
    • مقالات ترجمه شده
    • استانداردها
    • جزوات
    می خواهم فایل بفروشم
    ۰
    ورود به حساب
    خانهترجمه مقالهترانزیستور اثر میدانی نیمه‌ هادی – عایق – فلز ساخته شده با تکنیک نفوذ منبع جامد

    48,000 تومان 12,000 تومان

    Report Abuse
    319 بازدید 0 دیدگاه
    حالت مطالعه

    ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌هادی – عایق – فلز با کانال n ژرمانیمی با تحرک الکترون بالا ساخته شده با فرآیند دریچه آخر با استفاده از تکنیک نفوذ منبع جامد

    High Electron Mobility Ge n-Channel Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated by the Gate-Last Process with the Solid Source Diffusion Technique

    چکیده

    در این کار ما یک ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌هادی – عایق – فلز با کانال n ژرمانیمی با نسبت k/Ge بالا را با استفاده از فرآیند دریچه آخر با استفاده از تکنیک نفوذ منبع جامد حرارتی ساختیم تا هر دو ویژگی کیفیت بالای منبع/تخلیه (S/D) و هم پشته دریچه بالا به دست آید. پیوند n+/p که با استفاده از نفوذ منبع جامد اتم ناخالص ساز (دوپانت) آنتیموان ایجاد شده است.

    مشخصات یکسوسازی (دیود) عالی با نسبت روشن/خاموش در حدود ۱۰۵ × ۱/۵ ~ بین V 1+ و V 1- و همچنین دانسیته جریان تقریباً پایین  ۴ × ۱۰-۴ A/cm۲ ~ در V 1+ و پس از ساختن MISFETهای با کانال n با نسبت k/Ge بالا از خود نشان می‌دهد که ما را قادر به مشاهده راندمان ترانزیستور خوش رفتار (سازگار) می‌کند. تحرک الکترون خارج شده با مقدار بیشینه ۸۹۱cm۲/(V.s)به اندازه کافی زیاد است تا بالاتر از تحرک الکترون سیلیسیم عمومی و به ویژه در Eeff پایین قرار گیرد.

    جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.

    ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌ هادی - عایق - فلز

    ABSTRACT

    We fabricate high-k/Ge n-channel metal–insulator–semiconductor field-effect transistors (MISFETs) by the gate-last process with the thermal solid source diffusion to achieve both of high quality source/drain (S/D) and gate stack. The nþ/p junction formed by solid source diffusion technique of Sb dopant shows the excellent diode characteristics of ~۱/۵ × ۱۰۵ on/off ratio between +1 and -1 V and the quite low reverse current density of 4 × ۱۰-۴ A/cm۲ at +1 V after the fabrication of high-k/Ge n-channel MISFETs that enable us to observe well-behaved transistor performances. The extracted electron mobility with the peak of 891cm۲/(V.s) is high enough to be superior to the Si universal electron mobility especially in low Eeff. # 2010 The Japan Society of Applied Physics

    برچسب: مقاله متالورژی مقاله مهندسی مواد

    محصولات مرتبط

    اهمیت خوردگی در خطوط ساحلی نفت و گاز corrosion in onshore oil and gas pipelines

    Assessing the significance of corrosion in onshore oil and gas pipelines ارزیابی اهمیت خوردگی در خطوط ساحلی نفت و گاز…

    14,900 تومان

    انجماد جهت دار سوپرآلیاژهای پایه نیکل

    Effect of solidification rate on competitive grain growth in directional solidification of a nickel-base superalloy انجماد جهت دار سوپرآلیاژهای پایه…

    14,900 تومان

    اثر کار مکانیکی بر ساختار آلیاژ منگنز آلومینیوم Effect Of Prior Working On The Structure Of Mn-29.5% Al-0.5% C ALLOY

    Effect Of Prior Working On The Structure and Deformation Capacity Of Mn-29.5% Al-0.5% C ALLOY اثر کار مکانیکی اولیه بر ساختار…

    9,900 تومان

    تولید ذرات ریز τ-MnAl با روش های مختلف A comparison of τ-MnAl particulates produced via different routes

    A comparison of τ-MnAl particulates produced via different routes مقایسه ذرات ریز τ-MnAl تولید شده از طریق راه های مختلف…

    6,900 تومان

    تنها اشخاصی که این محصول را خریداری کرده اند و وارد سایت شده اند می توانند در مورد این محصول بازبینی ارسال کنند.

    48,000 تومان 12,000 تومان

    Report Abuse
    mavadtarjome
    ضمانت کیفیت و تضمین عودت وجه
    درباره مت شاپ

    مت شاپ پلتفرم آموزشی تبادل فایل های مهندسی است. در این پلتفرم شما می ‌توانید فایل‌های آموزشی مورد نیاز خود را تهیه کنید و یا فایل‌های خود را برای فروش به اشتراک گذاشته و کسب درآمد کنید. در وبسایت مت شاپ شما می‌توانید گزیده ای از هزاران فایل آموزشی در کلیه زمینه های ترجمه مقالات، پروژه های آموزشی، استانداردها و نرم افزارهای مهندسی را مشاهده کنید که کلیه نیاز شما را در زمینه‌های آموزشی و پژوهشی مرتفع می‌کند.

    فهرست
    • فروشنده شو
    • درباره ی ما
    • فروشگاه
    • آدرس: تهران، سیدخندان
    • تماس غیرفعال.
    • ایمیل: info@matshop.ir
    جستجو

    جستجو با زدن Enter و بستن با زدن ESC