ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌هادی – عایق – فلز با کانال n ژرمانیمی با تحرک الکترون بالا ساخته شده با فرآیند دریچه آخر با استفاده از تکنیک نفوذ منبع جامد

High Electron Mobility Ge n-Channel Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated by the Gate-Last Process with the Solid Source Diffusion Technique

چکیده

در این کار ما یک ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌هادی – عایق – فلز با کانال n ژرمانیمی با نسبت k/Ge بالا را با استفاده از فرآیند دریچه آخر با استفاده از تکنیک نفوذ منبع جامد حرارتی ساختیم تا هر دو ویژگی کیفیت بالای منبع/تخلیه (S/D) و هم پشته دریچه بالا به دست آید. پیوند n+/p که با استفاده از نفوذ منبع جامد اتم ناخالص ساز (دوپانت) آنتیموان ایجاد شده است.

مشخصات یکسوسازی (دیود) عالی با نسبت روشن/خاموش در حدود ۱۰۵ × ۱/۵ ~ بین V 1+ و V 1- و همچنین دانسیته جریان تقریباً پایین  ۴ × ۱۰^-۴ A/cm^۲ ~ در V 1+ و پس از ساختن MISFETهای با کانال n با نسبت k/Ge بالا از خود نشان می‌دهد که ما را قادر به مشاهده راندمان ترانزیستور خوش رفتار (سازگار) می‌کند. تحرک الکترون خارج شده با مقدار بیشینه ۸۹۱cm^۲/(V.s)به اندازه کافی زیاد است تا بالاتر از تحرک الکترون سیلیسیم عمومی و به ویژه در Eeff پایین قرار گیرد.

جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.

ABSTRACT

We fabricate high-k/Ge n-channel metal–insulator–semiconductor field-effect transistors (MISFETs) by the gate-last process with the thermal solid source diffusion to achieve both of high quality source/drain (S/D) and gate stack. The nþ/p junction formed by solid source diffusion technique of Sb dopant shows the excellent diode characteristics of ~۱/۵ × ۱۰۵ on/off ratio between +1 and -1 V and the quite low reverse current density of 4 × ۱۰^-۴ A/cm^۲ at +1 V after the fabrication of high-k/Ge n-channel MISFETs that enable us to observe well-behaved transistor performances. The extracted electron mobility with the peak of 891cm^۲/(V.s) is high enough to be superior to the Si universal electron mobility especially in low Eeff. # 2010 The Japan Society of Applied Physics