تولید گرافن سلولی توسط لیتوگرافی پروب روبشی

تولید گرافن سلولی توسط لیتوگرافی پروب روبشی و قابلیت آن برای ذخیره سازی بار الکتریکی

The production of a cellular graphene array by scanning probe lithography and its ability to store electrical charge

چکیده

تولید گرافن سلولی بر روی  لایه SiO₂ عایق به وسیله لیتوگرافی پروب روبشی انجام شد. لایه گرافت به وسیله میدان الکتریکی که بین نوک پایه و زیرلایه Si بدون هیچ الکترودی مستقیماً به لایه گرافن وصل شد اکسید گردید. زمانی که ولتاژ بایاس بر روی سلولی از گرافن الگوبرداری­ شده از طریق نوک پایه اعمال شد. بار بر روی سلول تجمع پیدا کرد و برای مدت زمان زیادی بدون تحلیل رفتن حفظ شد. بار تجمع یافته و پتانسیل سطحی توسط یک میکروسکوپ نیروی الکترواستاتیکی اندازه ­گیری شد. حفظ شارژ به عنوان تابعی از زمان اندازه ­گیری شد و ثابت زمان تحلیل تا ۷۰min  تخمین زده شد.

جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.

ABSTRACT

A graphene cellular array on an insulating SiO₂ layer was fabricated by scanning probe Received 6 March 2012 lithography. The graphene layer was oxidized by an electric field which was applied Accepted 23 May 2012 between the cantilever tip and Si substrate without any electrode directly connected to Available online 31 May 2012 the graphene layer. When the bias voltage was applied on a cell of patterned graphene through the cantilever tip, charge was accumulated on the cell and preserved for a long time without decay. The accumulated charge and the surface potential were measured by an electrostatic force microscope. The charge retention was measured as a function of time, and the decay time constant was estimated to be 70 min.