رسوب نشانی لایه های CdTe به روش تبخیر باریکه الکترونی

نمره 0 از 5
امتیاز: 0 از 0
منقضی شده
9,900 تومان
فروش
0

توضیحات

Properties of CdTe films deposited by electron beam evaporation

خواص لایه های رسوب نشانی شده  CdTe به روش تبخیر باریکه الکترونی

ABSTRACT

Cadmium telluride thin films were prepared by electron beam evaporation on glass substrates kept at different temperatures in the range 30-300°C. The films were characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscopy and optical absorption measurements. The conductivity of the films was measured in the temperature range 100-300K. While the low temperature data (100-200K) could be explained by the variable range hopping process, the high temperature data (200-300K) could be explained on the basis of Seto’s model for thermionic emission of the carriers over the grain boundaries. Transmission spectra have indicated a direct band gap around 1.55eV.

 جهت دانلود رایگان نسخه لاتین این مقاله اینجا کلیک کنید .

 

رسوب نشانی CdTe به روش تبخیر باریکه الکترونی

چکیده

لایه های نازک کادمیم تلوراید به روش تبخیر باریکه الکترونی (Electron Beam Evaporation) روی زیرلایه شیشه ای که در دماهای متفاوت در بازه C°۳۰۰- ۳۰ قرار داشت، ساخته شدند. لایه ها به روش پراش اشعه X، میکروسکوپ الکترونی روبشی و اندازه گیری جذب نور مورد آنالیز قرار گرفتند. رسانش لایه ها در بازه دمایی K 300- 100 اندازه گیری شد. در حالیکه داده های دما پایین (K 200- 100) را می توان با استفاده از مدل variable range hopping تشریح نمود، داده های دما بالا (K 300- 200) را می توان بر اساس مدل Seto برای نشر گرمایونی حامل ها در مرزدانه ها توضیح داد. طیف عبوردهی، باندگپ مستقیمی به اندازه حدود eV 55/1 نشان داد.

 

جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.

پرداخت انلاین

دیدگاه‌ها (0)

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

فقط کاربرانی که خریدار این محصول هستند میتوانند نظر خود را ارسال کنند.