مشخصه یابی TEM و سنتز نانوذرات B4C بوسیله آسیاکاری پرانرژی

TEM characterization and synthesis of nanoparticle B4C by high-energy milling

چکیده

در این مطالعه، سنتز نانوذرات B4C بوسیله آسیاب کاری پرانرژی انجام شد. به این منظور، سیستم های سه تایی B_۲O_۳-C-Mg در واکنش با نسبت های استوکیومتری به عنوان مواد اولیه در مطالعات آزمایشگاهی استفاده شد. فرایند احیای B_۲O_۳ با استفاده آسیاب مدل spek انجام شد. استحاله فاز سرامیکی ذرات B4C بوسیله آنالیز XRD بررسی شد. مطالعه بوسیله TEM برای مشخصه یابی میکروساختاری شکل پودر کاربید بور و مورفولوژی آن انجام شد.

محصول سنتز بوسیله اسیدشویی از ناخالصی های MgO/B4C تمیز شد و تولید نانوذره B4C انجام شد. پس از اسیدشویی، مشخص شد که که برخی از پودرهای سنتزشده کمتر از ۵۰ nm بودند درحالی که دیگر ذرات در محدوده ۵۰-۳۵۰ nm متغیر بودند. در بررسی TEM از ذرات B4C پس از اسیدشویی، دیده شد که تشکیل دوقلویی به شکل خطایی صفحه ای دیده می شود. بسته به مقادیر d محاسبه شده بوسیله حل الگوهای پراش TEM، صفحات نشان داده شده بوسیله ذرات B4C نانومتری تعیین شدند.

جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.

ABSTRACT

In this study, nanoparticle B4C synthesis was carried out by high-energy milling. For this purpose, B2O3-C-Mg triple systems were used in the reaction stoichiometric ratios as starting materials in the experimental studies. The reduction process of B2O3 was performed using speks type milling device. The transformation of the ceramic phase of the nanoparticle B4C by XRD analysis was examined. In terms of microstructural characterization of its powder shape and morphology, TEM (imaging and selected area diffraction pattern) investigations were conducted.

The product synthesized by the leaching process was cleaned from MgO/B4C impurities and the production of the nanoparticle B4C was performed. After leaching processes, it was determined that some of the synthesized powders were below 50 nm, while others varied between the ranges of 50-350 nm. In TEM examinations of B4C particles carried out after leaching process, it was seen that there were twin formations observed as planar error. Depending on the d values calculated by solving the TEM diffraction patterns, the planes represented by nano-sized B4C particles were determined.