فیلم های نازک ZnS
Characterization of ZnS thin films synthesized through a non-toxic precursors chemical bath
مشخصه یابی فیلم های نازک ZnS تولید شده از طریق حمام شیمیایی دارای پیش ماده های غیرسمی
ABSTRACT
In solar cells, ZnS window layer deposited by chemical bath technique can reach the highest conversion efficiency; however, precursors used in the process normally are materials highly volatile, toxic and harmful to the environment and health (typically ammonia and hydrazine). In this work the characterization of ZnS thin films deposited by chemical bath in a non-toxic alkaline solution is reported. The effect of deposition technique (growth in several times) on the properties of the ZnS thin film was studied. The films exhibited a high percentage of optical transmission (greater than 80%); as the deposition time increased a decreasing in the band gap values from 3.83 eV to 3.71 eV was observed. From fi chemical analysis, the presence of ZnS and Zn(OH)2 was identi ed and X-ray diffraction patterns exhibited a clear peak corresponding to ZnS hexagonal phase (10 3) plane, which was confi rmed by electron diffraction patterns. From morphological studies, compact samples with well-defined particles, low roughness, homogeneous and pinhole-free in the surface were observed. From obtained results, it is evident that deposits of ZnS–CBD using a non-toxic solution are suitable as window layer for TFSC.
جهت دانلود رایگان نسخه لاتین این مقاله اینجا کلیک کنید .
چکیده
در سلول های خورشیدی، لایه پنجره ای ZnS لایه نشانی شده توسط روش حمام شیمیایی می تواند به بالاترین بازدهی تبدیل دست یابد؛ اما، پیش ماده های بکار رفته در فرآیند معمولا مواد بسیار فرار، سمی و مضر برای محیط زیست و سلامتی هستند (معمولا آمونیاک و هیدرازین). در این کار، مشخصه یابی فیلم های نازک ZnS لایه نشانی شده توسط حمام شیمیایی در یک محلول قلیایی غیرسمی گزارش می شود. اثر روش لایه نشانی (رشد چندین باره) بر خواص فیلم نازک ZnS مطالعه شد. فیلم ها درصد بالایی عبور نوری (بیش از ۸۰ درصد) نشان دادند؛ با افزایش زمان لایه نشانی، کاهشی در مقادیر شکاف باند از eV 83/3 تا ۷۱/۳ مشاهده شد. از آنالیز شیمیایی، وجود ZnS و Zn(OH)2 شناسایی شد . الگوهای پراش پرتوی ایکس یک قله واضح متناظر با صفحه (۱۰۳) فاز هگزاگونال ZnS نشان دادند که با الگوهای پراش الکترونی تائید شد. از مطالعات مورفولوژیکی، نمونه هایی فشرده با ذرات کاملا مشخص، با ناهمواری کم، همگن و بدون سوراخ در سطح مشاهده شدند. از نتایج بدست آمده، آشکاراست که لایه های ZnS-CBD با استفاده از یک محلول غیرسمی، عنوان لایه پنجره ای برای TFSC مناسب هستند.
جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.
محصولات مرتبط
خزش در فلزات آمورف (شیشه فلزات) Creep in amorphous metals
Creep in amorphous metals خزش در فلزات آمورف (شیشه فلزات) ABSTRACT This paper reviews the work on creep behavior of…
کارسختی Work Hardening
Work Hardening کارسختی ABSTRACT Work hardening is one of the characteristic properties of most metallic alloys; it isalso probably the…
رفتار سینترینگ و خواص دی الکتریکی سرامیک ها Sintering behavior and dielectric properties of BaTiO3 ceramics
Sintering behavior and dielectric properties of BaTiO3 ceramics with glass addition for internal capacitor of LTCC رفتار سینترینگ و خواص دی…
آماده سازی ذرات آلومینای ریزدانه مشتق شده از ژیپسیت بایر Preparation of Fine Alumina Powder
Preparation of Fine Alumina Powder آماده سازی ذرات آلومینای ریزدانه مشتق شده از ژیپسیت بایر ABSTRACT This study involves the…
تنها اشخاصی که این محصول را خریداری کرده اند و وارد سایت شده اند می توانند در مورد این محصول بازبینی ارسال کنند.