سنتز نانومیله های کاربید سیلیسیوم به روش نمک مذاب

امتیاز: 0 از 0
منقضی شده
62,900 تومان 15,900 تومان
فروش
0

توضیحات

سنتز نانومیله های کاربید سیلیسیوم به روش نمک مذاب و با استفاده از نانولوله‌های کربنی به عنوان الگو (قالب)

Molten salt synthesis of silicon carbide nanorods using carbon nanotubes as templates

چکیده

نانومیله های کاربید سیلیسیوم از طریق واکنش نانولوله­ های کربنی (CNT) چنددیواره با ذرات Si در حمام مذاب NaCl-NaF به مدت ۴ ساعت و در دمای ۱۱۰۰ تا ۱۲۰۰ درجه سانتی گراد در اتمسفر آرگون صورت گرفتند. محصولات واکنش با XRD و TEM مورد آنالیز قرار گرفت که در آن به بررسی تصویر انحراف شبکه و طیف‌سنجی انرژی از دست رفته‌ی الکترون پرداخته شده است. در دمای ۱۱۰۰ درجه سانتی گراد، ۳C-SiC با XRD شناسایی شد ولی همچنان CNT ها و Si واکنش نکرده فاز غالب بودند در حالی که در دمای ۱۱۵۰ درجه سانتی گراد، میزان SiC تشکیل شده بسیار افزایش یافت. در نهایت در دمای ۱۲۰۰ درجه سانتی گراد تنها پیک‌های SiC مشاهده شد که حاکی از تبدیل کامل Si و CNT ها به SiC می‌باشد.

دمای سنتز در این روش در حدود ۲۰۰ تا ۲۵۰ درجه پایین‌تر از دمای سنتز در روش رایج واکنش فاز بخار و جامد می‌باشد. SiC حاصله به این روش دارای مورفولوژی مانند نانولوله­ های کربنی بود که این امر حاکی از آن است که CNTها نه تنها به عنوان منبع کربن برای واکنش و تشکیل SiC هستند، بلکه به عنوان الگوی رشد SiC نیز عمل می‌کنند. اکثر این نانورادها دارای چینش صفحات پیچیده یودند به این صورت که دارای شکل‌های مختلف چینش درای عیب بوده و تنها برخی از آنها دارای چینش یدون نقص بودند.

جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.

سنتز نانومیله های کاربید سیلیسیوم

ABSTRACT

Silicon carbide (SiC) nanorods were synthesised by reacting multi-walled carbon nanotubes (CNTs) with Si particles in a NaCl–NaF binary salt for 4 h at 1100–۱۲۰۰ C in Ar. Reaction products were analysed by a combination of X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM), including aberration corrected lattice imaging and electron energy loss spectroscopy (EELS). At 1100 C, 3C–SiC became detectable by XRD but unreacted Si and CNTs were still dominant, while, at 1150 C, SiC increased at the expense of Si and CNTs. Finally, at 1200 C, only SiC peaks were seen, indicating the complete conversion from CNTs to SiC nanorods.

This synthesis temperature is 200–۲۵۰ C lower than that required by the conventional vapour–solid reaction process. The resultant SiC nanorods mostly followed the morphologies of the as-received CNTs, indicating that CNTs had not only served as carbon source but also acted as the templates for the nanorod growth. Most of the resultant SiC nanorods had complex stacking sequences containing various forms of stacking faults, and only some exhibited regular fault-free stacking sequences.

دانلود مقاله انگلیسی PDF

دیدگاه‌ها (0)

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

فقط کاربرانی که خریدار این محصول هستند میتوانند نظر خود را ارسال کنند.