یک روش جدید پراش اشعه ایکس با زاویه کم برای تعیین توزیع اندازه تخلخل/ ذرات نانوسایز در لایه نازک

A new small angle X-Ray scattering technique for determining nano scale pore/particle size distributing in thin film

چکیده

ما یک روش جدید پراش اشعه ایکس با زاویه کم (SAXS) با استفاده از هندسه بازتاب برای تعیین توزیع اندازه ذره/تخلخل ابداع نموده ایم. جهت جلوگیری از بازتاب منظم شدید، ما از اسکن آفست (۲θ/ θ+δθ) برای اندازه گیری اطلاعات تفرق استفاده کرده ایم.

برای کار با بازتاب و انکسار در سطح و سطوح مشترک، ما میدان موج اشعه ایکس را در فیلم بر اساس تخمین Distorted Wave Born Approximation (DWBA) محاسبه نمودیم [۱]. فرض شد که توزیع اندازه ذره/ تخلخل از تابع توزیع Г تبعیت می کند و پارامترهای توزیع را توسط روش کمترین مربعات غیر خطی و با مقایسه با داده های شبیه سازی شده و عملی بهینه نمودیم. ما روش پراش اشعه ایکس با زاویه کم حاضر را روی آنالیز اندازه تخلخل در فیلم های دی الکتریک پایین متخلخل روی زیرلایه سیلیسیم اعمال نمودیم. نتایج روش اشعه ایکس به طور نسبتا خوبی با نتایج جذب گاز و روش TEM مطابقت داشت.

جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.

ABSTRACT

We have developed a new Small Angle X ray Scattering (SAXS) technique by use of reflection geometry for determining particle / pore size distribution in thin film. In order to avoid strong specular reflection, we used offset scan (2θ / θ+δθ) for measuring scattering data.

To deal with reflection and refraction at surface and interfaces, we calculated X ray wave field in the film based on Distorted Wave Born Approximation (DWBA) [1]. We assume the particle / pore size distribution follows Г distribution function, and optimized the parameters of distribution by non liner least square method comparing simulated and experimental data. We applied the present X ray scattering technique to pore size analysis in porous low dielectric films on Si substrates. The results of X ray technique agreed fairly well with those of gas adsorption and TEM techniques.

 جهت دانلود رایگان نسخه لاتین این مقاله اینجا کلیک کنید .