جستجو برای:
  • مقالات ترجمه شده
  • استانداردها
  • جزوات
     

    ورود

    رمز عبور را فراموش کرده اید؟

    هنوز عضو نشده اید؟ عضویت در سایت
    • مقالات ترجمه شده
    • استانداردها
    • جزوات
    می خواهم فایل بفروشم
    ۰
    ورود به حساب
    خانهترجمه مقالهنفوذ متقابل بهبود یافته سیلیسیم و ژرمانیم در ژرمانیم دوپ شده با میزان زیاد فسفر روی سیلیسیم
    حالت مطالعه

    نفوذ متقابل بهبود یافته سیلیسیم و ژرمانیم در ژرمانیم دوپ شده با میزان زیاد فسفر روی سیلیسیم

    Enhanced Si–Ge interdiffusion in high phosphorus-doped germanium on silicon

    چکیده

    پیکربندی‌های مختلف نفوذ متقابل سیلیسیم و ژرمانیم با مقادیر مختلف دوپ فسفر مورد بررسی قرار گرفته است. هنگامی که لایه‌های ژرمانیم با فسفر در محدوده بالای ۱۰۱۸ cm-۳ دوپ شدند نفوذ متقابل قابل توجهی اتفاق افتاد که منجر به تشکیل منطقه آلیاژی SiGe شد که ضخیم‌تر از۱۵۰nm و پس از چرخه‌های بازپخت (آنیل) کردن عیوب بود. در ژرمانیم با مقادیر بالای فسفر دوپ شده، نفوذ متقابل سیلیسیم و ژرمانیم در حدود  ۱۰ – ۲۰ برابر در منطقه xGe > 0.7 و در مقایسه با نمونه کنترل و بدون دوپ کردن فسفر افزایش یافت.

    ما این پدیده را مرتبط با انتقال خیلی سریع‌تر فسفر به سمت لایه‌های تغذیه کننده ژرمانیم از سمت ژرمانیم و در طول رشد لایه ژرمانیم می‌دانیم که باعث افزایش غلظت جاهای خالی با بار منفی و بنابراین قابلیت نفوذ متقابل به دلیل اثر فرمی در نفوذ متقابل سیلیسیم و ژرمانیم می‌شود. این کار مرتبط با طراحی دستگاه از نوع ژرمانیم روی سیلیسیم به ویژه لیزرهای ژرمانیم روی سیلیسیم است.

    جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.

    نفوذ سیلیسیم و ژرمانیم در ژرمانیم دوپ شده با فسفر روی سیلیسیم

    ABSTRACT

    Si–Ge interdiffusion with different P doping configurations was investigated. Significant interdiffusion happened when the Ge layers were doped with P in high 1018 cm−۳ range, which resulted in a SiGe alloy region thicker than 150 nm after defect annealing cycles. With high P doped Ge, Si–Ge interdiffusivity is enhanced by 10–۲۰ times in the xGe > 0.7 region compared with the control sample without P doping. We attribute this phenomenon to the much faster P transport towards the Ge seeding layers from the Ge side during the Ge layer growth, which increases the negatively charged vacancy concentrations and thus the interdiffusivity due to the Fermi effect in Si–Ge interdiffusion. This work is relevant to Ge-on-Si type device design, especially Ge-on-Si lasers.

    برچسب: مقاله آلیاژسازی مقاله متالورژی مقاله مهندسی مواد مقاله نانو مواد

    محصولات مرتبط

    اتصال Inconel 625 به UNS 32205 به روش جوشکاری پرتو الکترونی

    Investigations on the structure – Property relationships of electron beam welded Inconel 625 and UNS 32205 بررسی روابط خواص-ساختار اتصال…

    14,400 تومان

    اثر عملیات حرارتی فولاد میکروآلیاژی بر خواص مکانیکی Mechanical Properties of a Microalloyed Steel

    عملیات حرارتی فولاد میکروآلیاژی Effect of Intercritical Heat Treatment on Mechanical Properties of a Microalloyed Steel اثر عملیات حرارتی بین دماهای…

    5,900 تومان

    استفاده از فولاد زنگ نزن آستنیتی AISI 316 به عنوان تقویت‌کننده در بتن

    Practical and Economic Aspects of Application of Austenitic Stainless Steel, AISI 316, as Reinforcement in Concrete جنبه‌های عملی و اقتصادی…

    9,900 تومان

    اثر کار مکانیکی بر ساختار آلیاژ منگنز آلومینیوم Effect Of Prior Working On The Structure Of Mn-29.5% Al-0.5% C ALLOY

    Effect Of Prior Working On The Structure and Deformation Capacity Of Mn-29.5% Al-0.5% C ALLOY اثر کار مکانیکی اولیه بر ساختار…

    9,900 تومان

    تنها اشخاصی که این محصول را خریداری کرده اند و وارد سایت شده اند می توانند در مورد این محصول بازبینی ارسال کنند.

    90,000 تومان 22,500 تومان

    Report Abuse
    mavadtarjome
    ضمانت کیفیت و تضمین عودت وجه
    درباره مت شاپ

    مت شاپ پلتفرم آموزشی تبادل فایل های مهندسی است. در این پلتفرم شما می ‌توانید فایل‌های آموزشی مورد نیاز خود را تهیه کنید و یا فایل‌های خود را برای فروش به اشتراک گذاشته و کسب درآمد کنید. در وبسایت مت شاپ شما می‌توانید گزیده ای از هزاران فایل آموزشی در کلیه زمینه های ترجمه مقالات، پروژه های آموزشی، استانداردها و نرم افزارهای مهندسی را مشاهده کنید که کلیه نیاز شما را در زمینه‌های آموزشی و پژوهشی مرتفع می‌کند.

    فهرست
    • فروشنده شو
    • درباره ی ما
    • فروشگاه
    • آدرس: تهران، سیدخندان
    • تماس غیرفعال.
    • ایمیل: info@matshop.ir
    جستجو

    جستجو با زدن Enter و بستن با زدن ESC