جستجو برای:
  • مقالات ترجمه شده
  • استانداردها
  • جزوات
     

    ورود

    رمز عبور را فراموش کرده اید؟

    هنوز عضو نشده اید؟ عضویت در سایت
    • مقالات ترجمه شده
    • استانداردها
    • جزوات
    می خواهم فایل بفروشم
    ۰
    ورود به حساب
    خانهترجمه مقالهنفوذ متقابل بهبود یافته سیلیسیم و ژرمانیم در ژرمانیم دوپ شده با میزان زیاد فسفر روی سیلیسیم
    حالت مطالعه

    نفوذ متقابل بهبود یافته سیلیسیم و ژرمانیم در ژرمانیم دوپ شده با میزان زیاد فسفر روی سیلیسیم

    Enhanced Si–Ge interdiffusion in high phosphorus-doped germanium on silicon

    چکیده

    پیکربندی‌های مختلف نفوذ متقابل سیلیسیم و ژرمانیم با مقادیر مختلف دوپ فسفر مورد بررسی قرار گرفته است. هنگامی که لایه‌های ژرمانیم با فسفر در محدوده بالای ۱۰۱۸ cm-۳ دوپ شدند نفوذ متقابل قابل توجهی اتفاق افتاد که منجر به تشکیل منطقه آلیاژی SiGe شد که ضخیم‌تر از۱۵۰nm و پس از چرخه‌های بازپخت (آنیل) کردن عیوب بود. در ژرمانیم با مقادیر بالای فسفر دوپ شده، نفوذ متقابل سیلیسیم و ژرمانیم در حدود  ۱۰ – ۲۰ برابر در منطقه xGe > 0.7 و در مقایسه با نمونه کنترل و بدون دوپ کردن فسفر افزایش یافت.

    ما این پدیده را مرتبط با انتقال خیلی سریع‌تر فسفر به سمت لایه‌های تغذیه کننده ژرمانیم از سمت ژرمانیم و در طول رشد لایه ژرمانیم می‌دانیم که باعث افزایش غلظت جاهای خالی با بار منفی و بنابراین قابلیت نفوذ متقابل به دلیل اثر فرمی در نفوذ متقابل سیلیسیم و ژرمانیم می‌شود. این کار مرتبط با طراحی دستگاه از نوع ژرمانیم روی سیلیسیم به ویژه لیزرهای ژرمانیم روی سیلیسیم است.

    جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.

    نفوذ سیلیسیم و ژرمانیم در ژرمانیم دوپ شده با فسفر روی سیلیسیم

    ABSTRACT

    Si–Ge interdiffusion with different P doping configurations was investigated. Significant interdiffusion happened when the Ge layers were doped with P in high 1018 cm−۳ range, which resulted in a SiGe alloy region thicker than 150 nm after defect annealing cycles. With high P doped Ge, Si–Ge interdiffusivity is enhanced by 10–۲۰ times in the xGe > 0.7 region compared with the control sample without P doping. We attribute this phenomenon to the much faster P transport towards the Ge seeding layers from the Ge side during the Ge layer growth, which increases the negatively charged vacancy concentrations and thus the interdiffusivity due to the Fermi effect in Si–Ge interdiffusion. This work is relevant to Ge-on-Si type device design, especially Ge-on-Si lasers.

    برچسب: مقاله آلیاژسازی مقاله متالورژی مقاله مهندسی مواد مقاله نانو مواد

    محصولات مرتبط

    ارزیابی عمق ترک با استفاده از تکنیک های جریان گردابی

    Evaluation of crack depth using eddy current techniques with GMR-based probes ارزیابی عمق ترک با استفاده از تکنیک های جریان…

    9,900 تومان

    اثر ترکیب روی بافت کریستالوگرافی آلیاژهای آلومینیوم

    بافت کریستالوگرافی آلیاژهای آلومینیوم Effect of composition on crystallographic texture in hot-rolled Al-Li-Cu alloys اثر ترکیب روی بافت کریستالوگرافی در…

    17,900 تومان

    بیومواد آلومینای چقرمه شده با زیرکونیا برای جایگزین مفصل

    Advances in zirconia toughened alumina biomaterials for total joint replacement پیشرفت ها در بیومواد آلومینای چقرمه شده با زیرکونیا برای…

    19,900 تومان

    اطلس عیوب ریخته گری

    اطلس عیوب ریخته گری عیوب ریخته گری از گذشته در قطعات باعث بحران بوده اند و مهم ترین وظیفه ریخته گران…

    16,000 تومان 11,200 تومان

    تنها اشخاصی که این محصول را خریداری کرده اند و وارد سایت شده اند می توانند در مورد این محصول بازبینی ارسال کنند.

    90,000 تومان 22,500 تومان

    Report Abuse
    mavadtarjome
    ضمانت کیفیت و تضمین عودت وجه
    درباره مت شاپ

    مت شاپ پلتفرم آموزشی تبادل فایل های مهندسی است. در این پلتفرم شما می ‌توانید فایل‌های آموزشی مورد نیاز خود را تهیه کنید و یا فایل‌های خود را برای فروش به اشتراک گذاشته و کسب درآمد کنید. در وبسایت مت شاپ شما می‌توانید گزیده ای از هزاران فایل آموزشی در کلیه زمینه های ترجمه مقالات، پروژه های آموزشی، استانداردها و نرم افزارهای مهندسی را مشاهده کنید که کلیه نیاز شما را در زمینه‌های آموزشی و پژوهشی مرتفع می‌کند.

    فهرست
    • فروشنده شو
    • درباره ی ما
    • فروشگاه
    • آدرس: تهران، سیدخندان
    • تماس غیرفعال.
    • ایمیل: info@matshop.ir
    جستجو

    جستجو با زدن Enter و بستن با زدن ESC