جستجو برای:
  • مقالات ترجمه شده
  • استانداردها
  • جزوات
     

    ورود

    رمز عبور را فراموش کرده اید؟

    هنوز عضو نشده اید؟ عضویت در سایت
    • مقالات ترجمه شده
    • استانداردها
    • جزوات
    می خواهم فایل بفروشم
    ۰
    ورود به حساب
    خانهترجمه مقالهکاشت فسفر در ژرمانیم توسط دوپینگ: پیش‌بینی پروفایل‌های نفوذ به وسیله شبیه‌سازی
    حالت مطالعه

    دوپ کردن ژرمانیم توسط کاشت فسفر: پیش‌بینی پروفایل‌های نفوذ به وسیله شبیه‌سازی

    Doping of germanium by phosphorus implantation: Prediction of diffused profiles with simulation

    چکیده

    ویفرهای ساخته شده از ژرمانیم که به صورت لایه رونشستی روی سیلیسیم ایجاد شده‌اند در مقادیر و انرژی‌های مختلف کاشته شده و در دماهایی در محدوده ۵۱۵-۶۰۰ درجه و زمان‌های ۶۰ – ۱۰ آنیل شدند. پروفایل‌های SIMS مربوطه به عنوان هدف برای بهینه‌سازی پارامترهای یک مدل نفوذ مورد استفاده قرار گرفتند. اگرچه باور بر این است که نفوذ در ژرمانیم توسط جاهای خالی کنترل و انجام می‌شود اما مسائل فیزیکی در خصوص ایجاد خسارت بر زیرلایه منجر به این شد که مکانیزم نفوذ کنترل شده توسط مکان‌های جانشین را نیز در نظر بگیریم.

    بی شکل شدن که به دلیل کاشت یونی ایجاد شد نیز مسئول توزیع اولیه عیوب نقطه‌ای در نظر گرفته شد. پیش‌بینی‌های ما در خصوص پروفایل فسفر نفوذ کرده با استفاده از یک مدل جفتی به همراه حالت‌های مختلف بار شامل حد حلالیت و نفوذ به سمت بیرون به دست آمدند. این مدل سازی به ما اجازه داد تا به دقت، همان مجموعه از پارامترها را برای بیشتر از ۱۵ پروفایل تجربی و حتی برای نمونه‌های جعبه‌ای که در برنامه‌های حرارتی بالاتری اتفاق می‌افتند، منطبق کنیم.

    جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.

    کاشت فسفر در ژرمانیم توسط دوپینگ

    ABSTRACT

    Wafers made of germanium epitaxied on silicon were implanted at various doses and energies and were then annealed at temperatures ranging from 515 to 600 ◦C and process times ranging from 10 to 60 s. The corresponding SIMS profiles were used as targets for the optimization of the parameters of a diffusion model. Although diffusion in germanium is often believed to bemediated by vacancies, physical considerations on the damaging of the substrate led us to consider an interstitiallymediated diffusion mechanism.
    The amorphization caused by the implantation was taken into account to set the initial distribution of point defects. Our predictions of the diffused phosphorus profiles were obtained using a pair-model with various charge states including solubility limit and outdiffusion. This modelling allowed us to accurately fit with the same set of parameters more than 15 experimental profiles, even the box-shaped ones that occur at higher thermal budget.

    برچسب: مقاله شبیه سازی مقاله متالورژی مقاله مهندسی مواد مقاله نانو مواد

    محصولات مرتبط

    بهبود فولاد میکروآلیاژی HSLA با وانادیم و تیتانیم

    Effect of vanadium and titanium modification on the microstructure and mechanical properties of a microalloyed HSLA steel بهبود فولاد میکروآلیاژی HSLA…

    14,900 تومان

    ارزیابی عمق ترک با استفاده از تکنیک های جریان گردابی

    Evaluation of crack depth using eddy current techniques with GMR-based probes ارزیابی عمق ترک با استفاده از تکنیک های جریان…

    9,900 تومان

    استفاده از فولاد زنگ نزن آستنیتی AISI 316 به عنوان تقویت‌کننده در بتن

    Practical and Economic Aspects of Application of Austenitic Stainless Steel, AISI 316, as Reinforcement in Concrete جنبه‌های عملی و اقتصادی…

    9,900 تومان

    تولید ذرات ریز τ-MnAl با روش های مختلف A comparison of τ-MnAl particulates produced via different routes

    A comparison of τ-MnAl particulates produced via different routes مقایسه ذرات ریز τ-MnAl تولید شده از طریق راه های مختلف…

    6,900 تومان

    تنها اشخاصی که این محصول را خریداری کرده اند و وارد سایت شده اند می توانند در مورد این محصول بازبینی ارسال کنند.

    48,000 تومان 12,000 تومان

    Report Abuse
    mavadtarjome
    ضمانت کیفیت و تضمین عودت وجه
    درباره مت شاپ

    مت شاپ پلتفرم آموزشی تبادل فایل های مهندسی است. در این پلتفرم شما می ‌توانید فایل‌های آموزشی مورد نیاز خود را تهیه کنید و یا فایل‌های خود را برای فروش به اشتراک گذاشته و کسب درآمد کنید. در وبسایت مت شاپ شما می‌توانید گزیده ای از هزاران فایل آموزشی در کلیه زمینه های ترجمه مقالات، پروژه های آموزشی، استانداردها و نرم افزارهای مهندسی را مشاهده کنید که کلیه نیاز شما را در زمینه‌های آموزشی و پژوهشی مرتفع می‌کند.

    فهرست
    • فروشنده شو
    • درباره ی ما
    • فروشگاه
    • آدرس: تهران، سیدخندان
    • تماس غیرفعال.
    • ایمیل: info@matshop.ir
    جستجو

    جستجو با زدن Enter و بستن با زدن ESC