کاشت فسفر در ژرمانیم روی سیلیسیم درجا دوپ شده به منظور راندمان انتشار نور بالا
Phosphorus implantation into in situ doped Ge-on-Si for high light-emitting efficiency
چکیده
ما خواص نوری، الکتریکی و ساختاری زیرلایه ژرمانیم روی سیلیسیم رشد داده شده به صورت رونشستی را پس از کاشت فسفر بررسی کرده ایم. کاشت یون دوپ کردن نوع n را در ژرمانیم برای منبع نور روی تراشه افزایش میدهد. هرچند، اثرات آن روی ژرمانیم باید به دقت مورد مطالعه قرار گیرد. زیرا کاشت یونی میتواند مکانهای مستعد برای ترکیب مجدد را افزایش دهد و احتمالاً منجر به کاهش راندمان انتشار نور شود. ما راندمان انتشار نور ژرمانیم کاشت یونی شده را با استفاده از روشهای مختلف مشخصهیابی مواد بررسی کردیم. ما دریافتیم که کاشت یونی فسفر منجر به افزایش غلظت دوپینگ ژرمانیم روی سیلیسیم درجا دوپ شده میشود که خاصیت پرتو افشانی در اثر تحریک (فوتولومینسنس) را در حدود ۱۲ – ۳۰ درصد بهبود میبخشد. بنابراین، بهینه کردن آنیل بعدی و غلظت کاشت یون برای افزایش راندمان انتشار نور ژرمانیم حیاتی است.
جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.
ABSTRACT
We investigated the optical, electrical, and structural properties of epitaxially grown Ge-on-Si substrates after phosphorous implantation. Ion implantation increases n-type doping in Ge for an on-chip light source. However, its effects on Ge should be carefully studied as implantation may increase the recombination sites, and possibly reduce light emitting efficiency. We studied the light-emitting efficiency of implanted Ge using various material characterizations. We found that phosphorous implantation increased the doping concentration of in situ doped Ge-on-Si, which boosted the photoluminescence by 12–۳۰%. It is therefore critical to optimize the post-annealing and implantation doses to increase light emitting efficiency of Ge.
محصولات مرتبط
اثر گرافیت بر اکسیداسیون ZrB2-SiC در هوا
The effect of a graphite addition on oxidation of ZrB2–SiC in air at 1500 ◦C اثر گرافیت بر اکسیداسیون ZrB2-SiC…
اطلس عیوب ریخته گری
اطلس عیوب ریخته گری عیوب ریخته گری از گذشته در قطعات باعث بحران بوده اند و مهم ترین وظیفه ریخته گران…
تولید ذرات ریز τ-MnAl با روش های مختلف A comparison of τ-MnAl particulates produced via different routes
A comparison of τ-MnAl particulates produced via different routes مقایسه ذرات ریز τ-MnAl تولید شده از طریق راه های مختلف…
اتصال نفوذی مس به فولاد زنگ نزن تحت فشار ناگهانی
Impulse pressuring diffusion bonding of a copper alloy to a stainless steel with/without a pure nickel interlayer اتصال نفوذی مس به فولاد…
تنها اشخاصی که این محصول را خریداری کرده اند و وارد سایت شده اند می توانند در مورد این محصول بازبینی ارسال کنند.