جستجو برای:
  • مقالات ترجمه شده
  • استانداردها
  • جزوات
     

    ورود

    رمز عبور را فراموش کرده اید؟

    هنوز عضو نشده اید؟ عضویت در سایت
    • مقالات ترجمه شده
    • استانداردها
    • جزوات
    می خواهم فایل بفروشم
    ۰
    ورود به حساب
    خانهترجمه مقالهکاشت فسفر در ژرمانیم روی سیلیسیم درجا دوپ شده به منظور راندمان انتشار نور بالا
    حالت مطالعه

    کاشت فسفر در ژرمانیم روی سیلیسیم درجا دوپ شده به منظور راندمان انتشار نور بالا

    Phosphorus implantation into in situ doped Ge-on-Si for high light-emitting efficiency

    چکیده

    ما خواص نوری، الکتریکی و ساختاری زیرلایه ژرمانیم روی سیلیسیم رشد داده شده به صورت رونشستی را پس از کاشت فسفر بررسی کرده ‌ایم. کاشت یون دوپ کردن نوع n را در ژرمانیم برای منبع نور روی تراشه افزایش می‌دهد. هرچند، اثرات آن روی ژرمانیم باید به دقت مورد مطالعه قرار گیرد. زیرا کاشت یونی می‌تواند مکان‌های مستعد برای ترکیب مجدد را افزایش دهد و احتمالاً منجر به کاهش راندمان انتشار نور شود. ما راندمان انتشار نور ژرمانیم کاشت یونی شده را با استفاده از روش‌های مختلف مشخصه‌یابی مواد بررسی کردیم. ما دریافتیم که کاشت یونی فسفر منجر به افزایش غلظت دوپینگ ژرمانیم روی سیلیسیم درجا دوپ شده می‌شود که خاصیت پرتو افشانی در اثر تحریک (فوتولومینسنس) را در حدود ۱۲ – ۳۰ درصد بهبود می‌بخشد. بنابراین، بهینه کردن آنیل بعدی و غلظت کاشت یون برای افزایش راندمان انتشار نور ژرمانیم حیاتی است.

    جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.

    کاشت فسفر در ژرمانیم روی سیلیسیم

    ABSTRACT

    We investigated the optical, electrical, and structural properties of epitaxially grown Ge-on-Si substrates after phosphorous implantation. Ion implantation increases n-type doping in Ge for an on-chip light source. However, its effects on Ge should be carefully studied as implantation may increase the recombination sites, and possibly reduce light emitting efficiency. We studied the light-emitting efficiency of implanted Ge using various material characterizations. We found that phosphorous implantation increased the doping concentration of in situ doped Ge-on-Si, which boosted the photoluminescence by 12–۳۰%. It is therefore critical to optimize the post-annealing and implantation doses to increase light emitting efficiency of Ge.

    برچسب: مقاله متالورژی مقاله مهندسی مواد مقاله نانو مواد

    محصولات مرتبط

    اهمیت خوردگی در خطوط ساحلی نفت و گاز corrosion in onshore oil and gas pipelines

    Assessing the significance of corrosion in onshore oil and gas pipelines ارزیابی اهمیت خوردگی در خطوط ساحلی نفت و گاز…

    14,900 تومان

    آلومینات­ ها Aluminates

    Aluminates آلومینات­ ها ABSTRACT Aluminates form in binary systems with alkali, alkaline earth or rare-earth oxides and share the high…

    19,900 تومان

    اثر اندازه نمونه بر ریزساختار و انجماد جهت دار فاز بین فلزی Al2Cu

    Effect of sample size on intermetallic Al2Cu microstructure and orientation evolution during directional solidification اثر اندازه نمونه بر ریزساختار فاز…

    9,900 تومان

    آماده سازی ذرات آلومینای ریزدانه مشتق شده از ژیپسیت بایر Preparation of Fine Alumina Powder

    Preparation of Fine Alumina Powder آماده سازی ذرات آلومینای ریزدانه مشتق شده از ژیپسیت بایر ABSTRACT This study involves the…

    29,900 تومان

    تنها اشخاصی که این محصول را خریداری کرده اند و وارد سایت شده اند می توانند در مورد این محصول بازبینی ارسال کنند.

    61,200 تومان 15,300 تومان

    Report Abuse
    mavadtarjome
    ضمانت کیفیت و تضمین عودت وجه
    درباره مت شاپ

    مت شاپ پلتفرم آموزشی تبادل فایل های مهندسی است. در این پلتفرم شما می ‌توانید فایل‌های آموزشی مورد نیاز خود را تهیه کنید و یا فایل‌های خود را برای فروش به اشتراک گذاشته و کسب درآمد کنید. در وبسایت مت شاپ شما می‌توانید گزیده ای از هزاران فایل آموزشی در کلیه زمینه های ترجمه مقالات، پروژه های آموزشی، استانداردها و نرم افزارهای مهندسی را مشاهده کنید که کلیه نیاز شما را در زمینه‌های آموزشی و پژوهشی مرتفع می‌کند.

    فهرست
    • فروشنده شو
    • درباره ی ما
    • فروشگاه
    • آدرس: تهران، سیدخندان
    • تماس غیرفعال.
    • ایمیل: info@matshop.ir
    جستجو

    جستجو با زدن Enter و بستن با زدن ESC