ترانزیستور اثر میدانی نیمههادی – عایق – فلز با کانال n ژرمانیمی با تحرک الکترون بالا ساخته شده با فرآیند دریچه آخر با استفاده از تکنیک نفوذ منبع جامد
High Electron Mobility Ge n-Channel Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated by the Gate-Last Process with the Solid Source Diffusion Technique
چکیده
در این کار ما یک ترانزیستور اثر میدانی نیمههادی – عایق – فلز با کانال n ژرمانیمی با نسبت k/Ge بالا را با استفاده از فرآیند دریچه آخر با استفاده از تکنیک نفوذ منبع جامد حرارتی ساختیم تا هر دو ویژگی کیفیت بالای منبع/تخلیه (S/D) و هم پشته دریچه بالا به دست آید. پیوند n+/p که با استفاده از نفوذ منبع جامد اتم ناخالص ساز (دوپانت) آنتیموان ایجاد شده است.
مشخصات یکسوسازی (دیود) عالی با نسبت روشن/خاموش در حدود ۱۰۵ × ۱/۵ ~ بین V 1+ و V 1- و همچنین دانسیته جریان تقریباً پایین ۴ × ۱۰-۴ A/cm۲ ~ در V 1+ و پس از ساختن MISFETهای با کانال n با نسبت k/Ge بالا از خود نشان میدهد که ما را قادر به مشاهده راندمان ترانزیستور خوش رفتار (سازگار) میکند. تحرک الکترون خارج شده با مقدار بیشینه ۸۹۱cm۲/(V.s)به اندازه کافی زیاد است تا بالاتر از تحرک الکترون سیلیسیم عمومی و به ویژه در Eeff پایین قرار گیرد.
جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.
ABSTRACT
We fabricate high-k/Ge n-channel metal–insulator–semiconductor field-effect transistors (MISFETs) by the gate-last process with the thermal solid source diffusion to achieve both of high quality source/drain (S/D) and gate stack. The nþ/p junction formed by solid source diffusion technique of Sb dopant shows the excellent diode characteristics of ~۱/۵ × ۱۰۵ on/off ratio between +1 and -1 V and the quite low reverse current density of 4 × ۱۰-۴ A/cm۲ at +1 V after the fabrication of high-k/Ge n-channel MISFETs that enable us to observe well-behaved transistor performances. The extracted electron mobility with the peak of 891cm۲/(V.s) is high enough to be superior to the Si universal electron mobility especially in low Eeff. # 2010 The Japan Society of Applied Physics
محصولات مرتبط
آلومینات ها Aluminates
Aluminates آلومینات ها ABSTRACT Aluminates form in binary systems with alkali, alkaline earth or rare-earth oxides and share the high…
اثر افزودن کاربید تیتانیوم روی خواص ترموالکتریک سرامیک ها
Effect of titanium carbide addition on the thermoelectric properties of B4C ceramics اثر افزودن کاربید تیتانیوم روی خواص ترموالکتریک سرامیک…
اثر کار مکانیکی بر ساختار آلیاژ منگنز آلومینیوم Effect Of Prior Working On The Structure Of Mn-29.5% Al-0.5% C ALLOY
Effect Of Prior Working On The Structure and Deformation Capacity Of Mn-29.5% Al-0.5% C ALLOY اثر کار مکانیکی اولیه بر ساختار…
اثر پارامترهای جوشکاری ترمیمی بر عمر قالب های دایکست Die casting moulds
Effect of repair-welding parameters on life time of die casting moulds اثر پارامترهای جوشکاری ترمیمی بر عمر مفید قالب های…
تنها اشخاصی که این محصول را خریداری کرده اند و وارد سایت شده اند می توانند در مورد این محصول بازبینی ارسال کنند.