خواص الکتریکی لایه های نانوکریستالی CdTe به روش تبخیر حرارتی

Synthesis, electrical properties and transport mechanisms of thermallyvacuum evaporated CdTe nanocrystalline thin films

سنتز، خواص الکتریکی و مکانیزم های انتقال لایه های نازک نانوکریستالی CdTe به روش تبخیر حرارتی در خلأ

ABSTRACT

A stoichiometry CdTe nano-structured powder was synthesized by chemical process. Thin films ofdifferent thicknesses (40, 60, and 100 nm) of CdTe were prepared by thermal evaporation method ontosilicon substrates. Current–voltage (I–V) and capacitance–voltage (C–V) characteristics of CdTenanocrystalline thin films deposited on p-Si as heterojunction have been investigated. At low voltages,current in the forward direction was found to obey the diode equation and the conduction wascontrolled by thermionic emission mechanism. Also, various electrical parameters were determinedfrom theI–VandC–Vanalysis. The thickness dependence of the obtained capacitance–voltage (C–V)characteristics was also considered.

 جهت دانلود رایگان نسخه لاتین این مقاله اینجا کلیک کنید .

چکیده

پودر نانوساختار استوکیومتری CdTe به روش شیمیایی سنتز شد. لایه های نازک CdTe با ضخامت های مختلف (40، 60 و 100 نانومتر) با روش تبخیر حرارتی روی زیرلایه های سیلیکونی ساخته شدند. شاخصه های جریان – ولتاژ (I-V) و ولتاژ- توان (C-V) لایه های نازک نانوکریستالی CdTe رسوب نشانی شده روی p-Si به عنوان heterojunction بررسی شد. در ولتاژهای پایین، مشخص شد جریان مستقیم از معادله دیود پیروی می کند و هدایت توسط مکانیزم نشر گرمایونی کنترل می گردد. همچنین پارامترهای الکتریکی مختلف از روی آنالیز I-V و C-V تعیین گردید. بستگی ضخامت به ولتاژ- توان (C-V) نیز بررسی شد.

جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.