اثر فشار اکسیژن بر خواص فیلم های اکسید روی

فیلم های اکسید روی

Influence of oxygen pressure on the structural, electrical and optical

properties of Nb-doped ZnO thin films prepared

by pulsed laser deposition

اثر فشار اکسیژن بر خواص ساختاری، الکتریکی و نوری فیلم های ZnO

دوپ شده با Nb آماده شده توسط لایه نشانی لیزری پالسی

ABSTRACT

Nb-doped zinc oxide (NZO) transparent conductive thin films with highly (0 0 2)-preferred orientation were deposited on glass substrates by pulsed laser deposition method in oxygen ambience under different oxygen pressures. The as-deposited films were characterized by X-ray diffraction (XRD), Field emission-scanning electron microscopy (FE-SEM), electrical and optical characterization techniques. It was found that a desirable amount of oxygen can reduce the related defect scattering and enhance the carrier mobility. The resistivity and average optical transmittance of the NZO thin films are of 10−4 Ω cm and over 88%, respectively. The lowest electrical resistivity of the film is found to be about 4.37 × 10−4 Ω cm. In addition, the influence of oxygen pressure on optical properties in NZO thin films was systematically studied as well.

 جهت دانلود رایگان نسخه لاتین این مقاله اینجا کلیک کنید .

چکیده

فیلم های اکسید روی دوپ شده نازک رسانای شفاف با Nb (ZnO) با جهت گیری بشدت ترجیحی (002) روی زیرلایه شیشه ای توسط روش لیزری پالسی در محیط اکسیژن و در فشارهای اکسیژن مختلف، لایه نشانی شد. فیلم های لایه نشانی شده بوسیله پراش پرتوی ایکس (XRD)، میکروسکوپ روبشی گسیل میدانی (FE-SEM) و روش های نوری و الکتریکی، مشخصه یابی شدند. نتایج نشان داد که یک مقدار مطلوب از اکسیژن می تواند تفرق نقص مربوطه را کاهش داده و حرکت حامل را ارتقا دهد. ضریب مقاومت و مقدار عبور نوری متوسط لایه های نازک NZO به ترتیب برابر با Ωcm 10-4 و 88 درصد می باشند. کمترین ضریب مقاومت الکتریکی فیلم، Ωcm 4.37×10-4 می باشد. بعلاوه، اثر فشار اکسیژن روی خواص نوری در لایه های نازک NZO نیز بطور اصولی مطالعه شد.

 جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.