رشد لایه های نازک CdTe به روش رسوب دهی لیزر پالسی

CdTe thin films grown by pulsed laser deposition using powder
as target: Effect of substrate temperature

لایه های نازک CdTe رشد کرده به روش رسوب دهی لیزر پالسی و با استفاده از پودر به عنوان ماده هدف : اثر دمای زیرلایه

ABSTRACT

CdTe thinfilms were deposited by pulsed laser deposition on Corning glass slides using CdTe powder astarget. Films were grown at substrate temperatures ranging from room temperature (251C) to 3001C.The structural, compositional and optical properties were analyzed as a function of substrate tempera-ture. X-ray diffraction shows that CdTefilms grown at room temperature have hexagonal phase, while forhigher temperatures thefilms have cubic phase. Raman and EDS indicate thatfilms grew with Te excess,which suggests that CdTefilms havep-type conductivity.

 جهت دانلود رایگان نسخه لاتین این مقاله اینجا کلیک کنید .

چکیده

لایه های نازک CdTe به روش رسوب دهی لیزر پالسی روی صفحات شیشه ای Corning و با استفاده از پودر CdTe به عنوان ماده هدف، لایه نشانی (رسوب نشانی) شدند. لایه ها روی یک زیرلایه در بازه دمای محیط (تقریباً C°25) الی C°300 رشد کردند. ساختار، ترکیب و خواص نوری، به عنوان تابعی از دمای زیرلایه مورد آنالیز قرار گرفت. طیف پراش اشعه X نشان می دهد. لایه هایی که در دمای محیط رشد کرده اند، دارای فاز هگزاگونال می باشند، در حالیکه در دماهای بالاتر، لایه های رشد کرده دارای فاز مکعبی (کوبیک) می باشند. Raman و EDS نشان می دهند که لایه ها با Te اضافی رشد می کنند، که نشان می دهد که لایه های CdTe دارای رسانش از نوع p می باشند.

جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.