رشد ورقه های گرافن روی نانوسیم های سیلیکا با دانسیته بالا

Catalyst-free approach for growth of graphene sheets on

high-density silica nanowires by CVD

روش بدون کاتالیزور برای رشد ورقه های گرافن روی نانوسیم های سیلیکا

با دانسیته بالا توسط CVD

ABSTRACT

A novel “two-step annealing” method is proposed for the direct synthesis of graphene sheets on high-density dielectric silica nanowires without using metal catalysts. During the first annealing at 1000 °C, the extremely thin SiO2 layer on Si substrate shrinks and forms dense nanoparticles. Using these silica nanoparticles as templates, graphene sheets and silica nanowires are synthesized simultaneously after the second annealing process at 800–850 °C. The experiment results suggest that the graphene sheets grow along the nanowires and its crystalline quality and domain size are determined by the temperature and duration of the second annealing process.

 جهت دانلود رایگان نسخه لاتین این مقاله اینجا کلیک کنید .

چکیده

روش جدید “آنیل دو مرحله ای” به منظور سنتز مستقیم ورقه گرافن روی نانوسیم های سیلیکایی دی الکتریک که دارای دانسیته بالا هستند ، بدون استفاده از کاتالیزور فلزی پیشنهاد شد. طی اولین آنیل در 1000oC، لایه ی بسیار نازک SiO2 روی زیرلایه Si جمع می شود و نانوذرات چگال تشکیل می شوند. با استفاده از این نانوذرات سیلیکا به عنوان قالب، بعد از فرایند آنیل ثانویه در 800-850oC، ورقه های گرافن و نانوسیم های سیلیکا با هم سنتز می شوند. نتایج تجربی نشان داد که ورقه گرافن در طول نانوسیم ها رشد می کند و کیفیت بلوری و اندازه دامنه آن توسط دما و در طول فرایند آنیل ثانویه تعیین می شود.

 جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.