موانع نفوذی پایه تانتالیم در استفاده نیمه هادی­ ها

نبمه هادی های پایه تانتالیم

AFM Characterization of Ta-based Diffusion Barriers

for Use in Future Semiconductor Metallization

موانع نفوذی پایه Ta برای استفاده

در متالیزه شدن نیمه هادی ­های آینده

ABSTRACT

In this paper the investigation of r.f.-sputter-deposited Ta, Ta-N and Ta-N-O thin Ðlms is presented. Using atomic force microscopy in combination with sheet resistance measurements, Auger electron spectroscopy and x-ray diffraction, the thin Ðlm properties and microstructure are examined. Two crystalline modiÐcations of Ta (tetragonal b-Ta and bcc a-Ta) are reported. By incorporation of nitrogen and/or oxygen into the Ta Ðlms, nanocrystalline and quasi-amorphous structures can be achieved. Finally, the usefulness of the Ðlms as di†usion barriers in Cu-based metallization systems is described. ( 1997 by John Wiley & Sons, Ltd.

 جهت دانلود رایگان نسخه لاتین این مقاله اینجا کلیک کنید .

چکیده

در این مقاله بررسی لایه نشانی با کند و پاش r.f. فیلم های نازک Ta، Ta-N و Ta-N-O ارائه شده است. با استفاده از میکروسکوپ با نیروی اتمی در ترکیب با اندازه گیری های مقاومت ورق، طیف نگاری الکترونی اوژه و تفرق اشعه ایکس، خواص و ریز ساختار فیلم نازک مورد بررسی قرار گرفت. دو کریستالین تبدیل Ta (bcc α-Ta و  تتراگونال β-Ta) گزارش شده است. با اتصال نیتروژن و یا اکسیژن به فیلم های Ta، ساختارهای نانوکریستالی و شبه آمورف می تواند حاصل شود. در نهایت، مزیت فیلم ها به عنوان موانع نفوذی در سیستم­های متالورژیکی پایه مس توصیف می شود.

 جهت دانلود ترجمه تخصصی و فارسی این مقاله می توانید وجه آنرا پرداخت نموده و بلافاصله دریافت نمایید.